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科技专家
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王琦 (博士)
18653659082
3899
主要成就:
最近几年一直从事离子基两端、三端新型存储及逻辑器件、集成架构的研究。所开发的原子晶体管已列选为国际半导体技术路线图(ITRS)RED部分下一代逻辑器件的主要候选之一。目前,在Advanced Materials, Applied Physics Letter, Nanotechnology等期刊发表..
专家详细/
技术领域:
新材料 高分子材料
学历:
博士
专业:
数理科学 物理学
毕业学校:
兰州大学中科院兰化所联合培养
毕业时间:
2009
职称:
(副)教授、高工
职称取得时间:
2009
执业资格:
执业资格取得时间:
单位类型:
高等院校
工作单位:
兰州大学物理科学与技术学院
专家简介
主要成就
研究方向
兰州大学物理科学与技术学院,青年教授,博士生导师。于2004年获得兰州大学学士学位,于2009年获得兰州大学中科院兰化所联合培养博士学位,从2011年到2014年,在日本物质材料研究机构原子开关与原子晶体管概念提出者M. Aono和T. Hasegawa教授课题组从事博士后研究及担任JST特别研究员,具体负责JST CREST项目“Atom Transistor”的研发工作。
最近几年一直从事离子基两端、三端新型存储及逻辑器件、集成架构的研究。所开发的原子晶体管已列选为国际半导体技术路线图(ITRS)RED部分下一代逻辑器件的主要候选之一。目前,在Advanced Materials, Applied Physics Letter, Nanotechnology等期刊发表文章10余篇。目前主持在研国家自然科学基金2项,主持在研中央高校基本科研业务费1项,横向项目1项。近几年结题的主持项目包括国家自然科学基金青年基金、科技部国际合作项目子课题,教育部博士点基金,国家重点实验室开放基金、中央高校基本科研业务费等。参与了日英战略合作项目、JST CREST、国家863、国家基金等课题。
主要基于半导体材料与器件的研究与开发工作,通过材料结构的设计、缺陷的控制、器件的表界面调控等实现半导体器件性能的精确控制。目前的具体研究方向如下:
1. 离子基两端、三端原子开关(阻变)存储与逻辑器件
2. 离子基神经形态器件(类人脑计算器件)
3. 等离子体成膜工艺及碳基功能薄膜材料
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